Очень часто, при моделировании или проектировании электрических принципиальных схем, требуется подбирать элементы из доступных материалов. Например, бывает так, что необходимые компоненты просто отсутствуют в магазинах, или при моделировании электрических схем, набор элементов ограничен только импортными образцами. А собирать схему необходимо. Поэтому, в таких случаях, необходимо с легкостью подбирать аналоги таких элементов.

     В статье я постараюсь объяснить процесс выбора аналога, на примере n-p-n транзистора 2N3055, и разобрать некоторые нюансы, касающиеся данной темы. И так, поехали!

     Первым делом необходимо разобраться, какие параметры элемента являются основными. По этим параметрам и будет происходить выбор аналога. Так как, для примера, мы будем использовать транзистор, то для начала разберемся с его техническими параметрами.

1. Структура транзистора. Конечно, это основное на что необходимо обратить внимание. Либо это n-p-n, либо p-n-p.

2. Следующим шагом, смотрим на граничную частоту (Fгр). Данный параметр зависит от быстродействия устройства. При моделировании схемы, необходимо выбирать граничную частоту транзистора в несколько раз больше частоты самого прибора. При подборе аналога, граничная частота подбираемого элемента должна быть больше или равна граничной частоте транзистора, который нужно заменить.

3. Мощность, которую может рассеять транзистор. Здесь же смотрят на максимальный ток коллектора (Iк max, [А]) и на предельное значение напряжения коллектор – эмиттер (Uкэ max, [В]). Максимальный ток и напряжение должны быть выше тока и напряжения в управляемой транзистором цепи. При выборе аналога, параметры тока и напряжения должны соответствовать или превосходить параметры заменяемого транзистора.

4. Коэффициент передачи по току (h21). Данный параметр указывает на то, во сколько раз ток коллектора превосходит ток базы в процессе управления транзистором. При выборе аналога, необходимо выбирать транзисторы со значением этого параметра большим или равным исходного транзистора.

5. Напряжение насыщения, напряжение коллектор – эмиттер открытого транзистора (Uкэ нас, [В]). Чем оно меньше, тем меньше мощности будет рассеиваться на корпусе компонента в виде тепла.

     Следующим шагом найдем значения данных параметров для нашего транзистора. Для поиска параметров можно использовать литературу, интернет. Но при поиске в интернете, сравнивайте результаты на нескольких ресурсах одновременно (бывают разные значения). Получаем следующее:

• Структура: n-p-n

• Граничная частота: 0,8 МГц

• Максимальный ток коллектора: 15 А

• Максимальное напряжение коллектор – эмиттер: 70 В

• Коэффициент передачи по току: 20-70

• Напряжение насыщения: 2 В

     Теперь, для поиска аналога, можно воспользоваться любыми источниками. Также существуют онлайн – сервисы, где при вводе определенных параметров выводится список наиболее подходящих элементов. После поиска был найден транзистор КТ819ГМ. Его параметры:

• Структура: n-p-n

• Граничная частота: 3 МГц

• Максимальный ток коллектора: 15 А

• Максимальное напряжение коллектор – эмиттер: 100 В

• Коэффициент передачи по току: 20

• Напряжение насыщения: 2 В

     Так, биполярный транзистор 2N3055 можно смело заменить на КТ819ГМ и наоборот. Сравнив их параметры, можно прийти к выводу, что это почти полные аналоги, как по структуре (оба n-p-n), так и по типу корпуса и по основным параметрам, важным для равно эффективной работы в аналогичных режимах.

     Таким же образом выбираются аналоги и для других элементов электрических цепей, главное понять сам принцип подбора.

      Надеюсь, тема была для вас полезной, и вы узнали что-нибудь новое. Если же что-нибудь не будет получаться, или у вас появятся какие-либо вопросы, не стесняйтесь, и оставляйте их в комментариях или же на форуме.

Если Вам понравился наш урок, поделитесь им с друзьями.